Исследования молодых ученых ТюмГУ позволят ускорить процесс внедрения мемристоров
Сотрудники лаборатории мемристорных материалов ТюмГУ выступили на международной конференции молодых профессионалов в области электроники (организатор НГТУ). Событие прошло под эгидой международного Института инженеров электротехники и электроники.
Никита Шулаев представил доклад о комплексных исследованиях тонких пленок оксида гафния, легированных низкими концентрациями алюминия. Основное внимание уделено разработке метода реактивного магнетронного распыления, который обеспечивает точный контроль стехиометрии и равномерное распределение примеси алюминия по объему пленки. Доклад занял 2 место в своей секции.
Доклад Бауржана Габдулина посвящен изучению влияния процессов генерации и рекомбинации пар кислородных вакансий-ионов на распределение тепла по толщине активного слоя мемристора.
Александр Неустроев сообщил о влиянии вольт-амперных характеристик селективных элементов мемристорно-селекторного кроссбара на форму выходного сигнала.
Представленные результаты исследований лаборатории, поддержанных государственным заданием на НИР (FEWZ-2024−0020), направлены на ускорение внедрения нового элемента микроэлектроники — мемристора. Группа одновременно проводит исследования физических механизмов работы, технологии производства, материалов и схемотехники для воссоздания цифрового двойника мемристора, пригодного для применения в проектировании и производстве.
Помимо работы в лаборатории, Никита и Бауржан учатся в аспирантуре Школы естественных наук, а Александр заканчивает магистратуру Передовой инженерной школы.
Источник:
Управление стратегических коммуникаций ТюмГУ
