Ученые ТюмГУ исследуют электрофизические свойства нового компонента электроники

В ТюмГУ началась работу по проекту «Электрофизические свойства комбинированного мемристорно-диодного кроссбара — нового компонента наноэлектроники, предназначенного для изготовления запоминающей и логической матриц нейропроцессора». Исследование поддержано грантом Российского фонда фундаментальных исследований.

Проблему изготовления энергоэффективных сверхбольших 3D запоминающей и логической матриц нейропроцессора — инновационного IT продукта — ученые планируют решить путём создания нового компонента наноэлектроники — комбинированного мемристорно-диодного кроссбара. Они предлагают оригинальную вакуумную нанотехнологию создания комбинированного кроссбара с помощью реактивного магнетронного модуля нанотехнологического комплекса (НТК) «НаноФаб — 100» и литографических процессов на сканирующем электронном микроскопе.

«В планах — проведение исследований электрофизических свойств нового компонента электроники: измерение его статических характеристик — стабильности и повторяемости вольт-амперных зависимостей и резистивного переключения в мемристорах, а также измерение его динамических характеристик при обработке сигналов — сложения в аналоговом режиме выходных импульсов нейронов (в запоминающем устройстве) и их коммутации в цифровом режиме на синапсы других нейронов (в логическом устройстве), а также умножения матрицы на вектор, которое применяется во входном блоке нейропроцессора при обработке видео и звуковых сигналов», — говорит руководитель НОЦ «Нанотехнологии» профессор ТюмГУ Сергей Удовиченко.

Дальнейшее изготовление сверхбольших 3D запоминающей и логической матриц на основе нового компонента электроники позволит ученым выйти на создание экспериментального образца (прототипа) биоморфного нейропроцессора. Работа ведется совместно с фабрикой «Ангстрем — Т» (Москва, Зеленоград), с которой университет подписал соглашение о сотрудничестве.

Источник:

Управление стратегических коммуникаций ТюмГУ